За повідомленнями іноземних ЗМІ, дослідницька група під керівництвом професора Чжоу Шенцзюня з Уханьського університету розробила високоефективний зелений світлодіод на основі GaN на сапфіровому субстраті. Дослідницька група пропонує використовувати гібридний шар нуклеації (Hybrid Nucleation Layer), що складається з розпилених AIN (Sputtered AlN) і середньотемпературних пристроїв GaN для підвищення квантової ефективності зелених світлодіодів на основі GaN.
В даний час розробка високоефективних ВИПРОМІНЮВАЧІВ III-нітриду в повному видимому діапазоні дуже приваблива, а злиття декількох кольорових III-нітридних випромінювачів забезпечує ефективне і точне гібридне спектральне управління, в результаті чого з високою роздільною здатністю дисплеї і різні інтелектуальні світлові додатки, але головною перешкодою в даний час є погана ефективність III-нітридних випромінювачів в зеленій до загар спектральної області.
З цією метою дослідники з Уханьського університету використовували новий гібридний шар нуклеації для виготовлення високоефективних зелених світлодіодів InGaN /GaN на сапфірових підкладках. Під час виробничого процесу змішаний шар нуклеації та поверхня GaN будуть генерувати структуру розломів укладання, що допомагає досягти невідповідної компенсації стресу.
Користуючись початковим розслабленням стресу теплової невідповідності, щільність дислокації та залишковий стрес у зелених світлодіодах зменшуються. В результаті дослідницька група підвищила ефективність приблизно на 16% при масовому виробництві.
Дослідницька група Уханьського університету заявила, що перспектива застосування гібридного шару нуклеації є дуже перспективною для реалізації високоефективних випромінювачів III-нітриду в зеленому і жовто-коричневому регіоні.
