Nano Stack ІЧ 810 нм 850 нм 940 нм 5050 SMD LED

Технічні характеристики Nano Stack IR 810nm 850nm 940nm 5050 SMD LED:

Назва товару	Nano Stack ІЧ 810 нм 850 нм 940 нм 5050 SMD LED
Номер деталі	GD{{0}R850-2C2S0-S1D2M
Марка чіпсів	Спеціальні мікросхеми Nano Stack з більш високою напругою та високою потужністю випромінювання. Кожна мікросхема з 3 В постійного струму максимум 1000 мА, загальний пакет 2S2P всередині
Введення	3.5-4.5vdc max 2000mA
Потужність випромінювання	4000-4500мВт при прямому струмі 1400 мА
Ефективність освітлення	Невидиме ІЧ-підсвічування, не згадується про LPW
колір	Специфікація з 850-855nm. Але ми також можемо налаштувати 805-810nm, 940-950nm для вас.
потужність	10-12 ват
Пакувальний матеріал	Кераміка ALN розмір 5х5 мм
Кут освітлення	Звичайний з 120 градусами. Ми також можемо використовувати 60 градусів.
Бренд і виробник	GMLED, GMKJ
Гарантія	4 роки
Обслуговування OEM	1. Доступні запчастини SKD; 2. Індивідуальні світлодіодні друковані плати потрібного вам розміру підходять тут. 3. Тут ми можемо встановити алюмінієві світлодіоди на друковані плати.

Чим відрізняється інфрачервоний світлодіод Nano stack від звичайних інфрачервоних світлодіодів?

Інфрачервоні світлодіоди Nano Stack відрізняються від традиційних інфрачервоних світлодіодів головним чином такими ознаками:

ККД і щільність потужності: Технологія Nano Stack забезпечує набагато вищу щільність потужності шляхом укладання кількох шарів напівпровідникових матеріалів у нанорозмірі. Ця структура забезпечує вищу швидкість випромінювання фотонів, що призводить до більшої інтенсивності та ефективності інфрачервоного випромінювання порівняно з традиційними одношаровими інфрачервоними світлодіодами.

Компактний дизайн: Завдяки нанотехнологіям укладання ці світлодіоди можуть досягти вищої продуктивності в меншій упаковці. Це особливо вигідно для додатків, які потребують мініатюрних або компактних джерел світла, наприклад у мобільних пристроях або компактних датчиках.

Покращене розсіювання тепла: складені шари в наностекових світлодіодах можуть покращити розсіювання тепла, зменшуючи ризик термічної деградації, яка є типовою для потужних традиційних інфрачервоних світлодіодів. Це також призводить до довшого терміну служби та більш стабільної роботи з часом.

Покращений контроль довжини хвилі: Технологія Nano stack забезпечує кращий контроль над довжиною хвилі випромінюваного світла шляхом маніпулювання складом і товщиною кожного шару в стеку. Це може забезпечити точніші вихідні дані довжини хвилі, що є цінним для програм, які потребують певних інфрачервоних довжин хвиль, наприклад, у біомедичних зображеннях або певних типах зондування.

Швидший час відгуку: Завдяки нанорозмірній структурі інфрачервоні світлодіоди з наностеком можуть мати швидший час перемикання, що є перевагою для додатків, які вимагають швидких циклів увімкнення/вимкнення, як-от високошвидкісний оптичний зв’язок.

Підсумовуючи, інфрачервоні світлодіоди наностека забезпечують вищу щільність потужності, більшу ефективність, краще розсіювання тепла, компактність, точне керування довжиною хвилі та швидший час відгуку порівняно з традиційними інфрачервоними світлодіодами, що робить їх придатними для більш вимогливих і спеціалізованих застосувань.

Nano Stack IR 810nm 850nm 940nm 5050 SMD LED Picture:

Розміри світлодіодів Nano Stack 810nm 850nm 940nm 5050 SMD:

Специфікації Nano Stack IR 810nm 850nm 940nm 5050 SMD LED:

Параметр	символ	Умови	Хв	Середнє	Макс	одиниці
Пряма напруга	VF	IF=1400 мА	5.50	--	6.50	V
Термічний опір з'єднання з платою	RΘJ-B	IF=1400 мА	--	3	--	ступеня /Вт
Променевий потік	Φe	IF=1400 мА	4000	--	4500	мВт
Пікова довжина хвилі	λp	IF=1400 мА	845	--	855	нм
Зворотний струм	IR	VR=10V	−−	−−	10	μ A
Кут огляду	2Θ1/2	IF=1400 мА	−−	120	−−	град

 

 

Популярні Мітки: nano stack IR 810nm 850nm 940nm 5050 smd led, Китай, виробники, постачальники, фабрика, ціна, дешево, цитата, специфікація, специфікації